Aluminiumnitrid elektrisch isolierend / Wärme leitend

Hochgradig texturiertes Aluminiumnitrid AlN (c-Achsen Orientierung)

Schichten aus mikrokristallinem Aluminiumnitrid weisen einen ausgeprägten piezoelektrischen Effekt auf. Dazu muss eine spezifische bevorzugte Kristallorientierung während des Wachstums erzeugt werden - die sogenannte c-Achsen Orientierung. Durch die geeignete Wahl der Prozessparameter bei der Sputter-Deposition werden vollständig c-Achsen orientierte Schichten bei Temperaturen von nur 550 Kelvin abgeschieden. Diese Schichten eignen sich vorzüglich zur Herstellung von Sensoren oder elektronischen Bauelementen wie den sogenannten SAW (surface acoustic wave) -devices.

Nachfolgend finden Sie eine Auswahl kristallographischer und optischer Eigenschaften dieser Schichten:



Röntgendiffraktogramme für AlN-Schichten hergestellt unter Variation des Parameters X AlN Diffraction Patterns

AlN optical transmission spectrum optisches Transmissionsspektrum einer ca. 2 µm dicken AlN-Schicht

Prozedur zur Bestimmung der optischen Bandlücke dieser Schicht nach TAUC AlN Taus plot