Galliumoxid / Galliumnitrid

Durch Sputter-Deposition im reaktiven Modus und mit flüssigen Targets werden Schichten aus Galliumoxid (Ga2O3) und Galliumnitrid (GaN) hergestellt. Je nach Prozesstemperatur sind diese Schichten amorph oder nanokristallin. Galliumoxid ist insbesondere für den Einsatz in Sensoren (z. B. Gassensoren) geeignet. Das aus der Optoelektronik bekannte GaN kann durch Sputter-Deposition bei Temperaturen von nur 500 Kelvin in nanokristalliner Form abgeschieden werden (s. a. Aluminiumnitrid). Daher sind auch neue Substratmaterialien zur Beschichtung geeignet.